Introduzione

La tecnologia si propone come un sistema innovativo per la caratterizzazione ed i controlli di qualità su fasci di radiazioni ionizzanti, di elevate intensità,  utilizzati in ambito terapeutico. Si basa sull’utilizzo di un sensore d’immagine  CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) per la ricostruzione dell profilo del fascio nelle tre dimensioni. Il sistema risulta ideale per la caratterizzazione di piccoli campi di radiazione.

Caratteristiche Tecniche

L’invenzione si pone come alternativa ai principali sistemi  attualmente in uso per il monitoraggio del profilo spaziale di fasci  radioterapici, effettuato quotidianamente nei centri ospedalieri. Tali controlli di qualità vengono di norma effettuati utilizzando sensori passivi, necessari in gran numero e disposti in diverse posizioni per effettuare un campionamento sufficiente ad avere una interpolazione con errori piccoli, oppure tramite sensori attivi, cioè letti in tempo reale, ma che presentano problemi legati alla saturazione e alla non linearità in caso di flussi intensi. La tecnologia sfrutta un sensore d’immagine commerciale, di tipo  CMOS, ad elevatissima segmentazione spaziale (>3 x 10⁶  pixel/cm²). L’elevato numero di pixel da un lato riduce il problema  della saturazione, di cui possono soffrire i sistemi attuali per fasci  di elevate intensità; dall’altro permette un buon isolamento delle  singole particelle rendendo possibile la ricostruzione del profilo  spaziale del fascio.

Possibili Applicazioni

• Caratterizzazione di fasci per radioterapia convenzionale (fotoni ed elettroni);
• Caratterizzazione di fasci adroterapici e per IORT;
• Caratterizzazione di fasci di raggi X per la sterilizzazione di oggetti.

Vantaggi

• Dimensioni ridotte del sensore;
• Costo hardware contenuto;
• Elevata resistenza alle radiazioni;
• Elevata efficienza di rivelazione.