Introduzione

Oggetto dell’invenzione è un metodo di rivelazione di radiazione X, ottenuto tramite l’esposizione diretta di un Silicon Photo Multiplier ad un fascio di radiazione. Un sistema di questo tipo permette il monitoraggio di flusso o dose per applicazioni in radioterapia e imaging, nel range energetico tra la decina di keV e qualche MeV.

Caratteristiche Tecniche

La tecnica sviluppata è finalizzata alla determinazione del flusso di radiazione X, tramite una misura diretta di corrente, sfruttando un rivelatore a semiconduttore di tipo SiPM. Infatti, sebbene attualmente i SiPM siano progettati esclusivamente per la rivelazione di luce dall’infrarosso all’ultravioletto, è stato verificato che in opportune condizioni la corrente indotta nel SiPM, a seguito della sua esposizione diretta ai raggi X, risulta essere proporzionale al flusso dei raggi X incidenti. In queste condizioni è possibile effettuare una misura utilizzando soltanto il rivelatore a semiconduttore, di poche centinaia di micron di spessore, senza la necessità di accoppiarlo a del materiale convertitore, come da pratica corrente, riducendo quindi le dimensioni dell’intero apparato di misura.

Possibili Applicazioni

• Caratterizzazione di fasci di radiazione X, sia in campo tecnico/industriale, sia in campo medico;
• Misure di flusso e distribuzione spaziale di fasci di fotoni.

Vantaggi

• Dimensioni ridotte del sensore;
• Costo contenuto dei componenti;
• Bassa tensione di alimentazione (< 35 V);
• Possibilità d’uso anche in presenza di forti campi magnetici;
• Minima perturbazione del fascio.