Introduzione

L’invenzione consiste in un dispositivo nanoelettronico capace sia di memorizzare dati sia di elaborarli. I dati vengono memorizzati su un nastro magnetico di dimensioni nanometriche. Tuttavia è anche possibile compiere operazioni logiche elementari sui dati memorizzati, senza bisogno di appoggiarsi a circuiti esterni alla memoria stessa.

Caratteristiche Tecniche

L’invenzione consiste in un nastro magnetico di dimensioni nanometriche usato per memorizzare dati in maniera non volatile e con un basso consumo di energia. La scrittura e la lettura di dati avviene elettricamente tramite l’uso di una giunzione magneto-tunnel. La scrittura dei dati avviene attraverso l’iniiezione di una corrente elettrica, mentre la lettura attraverso una misurazione di resistenza. I dati possono essere spostati all’interno della memoria tramite l’iniezione di una corrente elettrica che scorre lungo il nastro magnetico stesso. Attraverso l’applicazione all’intero circuito di un singolo campo magnetico esterno è possibile effettuare operazioni logiche elementari sui dati memorizzati all’interno del nano nastro magnetico. Il tipo di operazione logica effettuata può essere programmata bit per bit, inoltre tutti i dati memorizzati all’interno della memoria possono essere elaborati contemporaneamente.

Possibili Applicazioni

• Internet of Things (IoT);
• Sistemi di elaborazione dati ad alte prestazioni;
• Big data;
• Sistemi di intelligenza artificiale;
• Sistemi embedded a basso consumo.

Vantaggi

• Capacità di elaborare dati direttamente dentro la memoria;
• Alta densità di memoria;
• Possibilità di creare circuiti tridimensionali;
• Basso consumo di potenza dinamica;
• Nessun consumo di potenza statica;
• Memoria non volatile magnetica;
• Elevatissimo numero di scritture in memoria sostenibili.